Mediante el uso de la tecnología ultra-fino del proceso de SDRAM DDR3 de 4GB se convierte en un chip más eficiente de la energía y logra una mayor productividad. Como producto de 4 Gb, su densidad es el doble de 2 GB de SDRAM DDR3 de Elpida basado en el nodo mismo proceso. El nuevo desarrollo de 4Gb DRAM mejora la productividad en un 45% en comparación con 30nm de Elpida SDRAM DDR3 de 4GB. En comparación con este mismo DDR3 30nm, se reduce la corriente de operación de alrededor de 25-30% y la corriente de espera de alrededor de 30-50%. También se ha dado cuenta de la industria de alta velocidad de transferencia de datos de 1866MT / s (1866MHz resultante velocidad de reloj) con 1.35V de tensión o de 1.5V.
El nuevo DDR3 SDRAM de 25 nm se espera encontrar aplicaciones en los PC y servidores que se utilizan en los centros de datos y otras instalaciones que llevan a cabo a gran escala las tareas de procesamiento de la información. Otras aplicaciones son propensos a incluir los Tablet PC y los sistemas de fina ultrabook.
Envío de muestras y la producción en masa de los nuevos 25 nm 4 Gb DDR3 SDRAM se espera que comience a finales de este año.
Fuente: http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20110923162625_Elpida_Designs_Industry_s_First_25nm_4Gb_Memory_Chip.html – Traducido por Google Translate
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